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STU6N90K5

功能描述：N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3

制造商：stmicroelectronics

系列：MDmesh? K5

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：900V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 100μA

Vgs（最大值）：±30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：110W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.1 欧姆 @ 3A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：IPAK（TO-251）

封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB

标准包装：75

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